职责描述：

1. GaN功率器件版图设计；

2. 器件物理仿真；

3. 工艺流程设计；

4. 计划实验、数据分析；

5. 器件表征，包括直流和动态分析，以优化器件设计；

6. 分析性能、制造、测试和可靠性问题以及提出改进方案。

任职要求：

1. 半导体技术、微电子技术相关专业的硕士（3年）或博士学位；

2. 功率器件物理背景，具备功率器件设计、制造和表征方面的经验；

技能与胜任能力：

1. 深刻理解半导体器件的工作原理，熟悉半导体工艺、工艺流程、表征分析；

2. 熟悉使用版图设计工具；

3. 熟练使用器件仿真工具；

4. 熟练使用Keysight B1505 / B1500 / 2400/2410 测量平台；

5. 具备出色的任务和时间管理的能力；

6. 具备出色的沟通和团队协作能力；

7. 具有一定的技术文档编写经验。

珠海镓未来科技有限公司成立于2020年10月公司专注于第三代半导体氮化镓技术的研发制造和应用提供从30W到10KW的氮化镓器件及系统设计解决方案核心团队由IEEE Fellow吴毅锋博士领衔前华为GaN和第三代半导体项目发起人前Intel资深晶圆制造和运营专家以及第三代半导体功率器件电源应用开发专家等国内外专业技术人才组成依托国际化的技术研发团队镓未来积累了20多项专利覆盖从器件结构关键工艺封装到电源系统设计等全过程目前镓未来已完成多轮融资投资方包括珠海科创投大横琴集团境成资本礼达基金等融资金额过亿公司创始团队由资深GaN-on-Si技术和产业专家构成研发团队以GaN和半导体产业的博士为主博士及以上占比65硕士以上占比85主要以南科大微电子学院/华为/Intel/士兰微等企业的各类型专家为主为客户打造世界一流的氮化镓功率器件供应商